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梁涛

作品数：12 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

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地区

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共 27 条 记 录，以下是 1-10
唐昭焕
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王大平
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：硅片表面 镜检 点子 等离子体刻蚀 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王斌
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：VDMOS 半导体工艺 牺牲层 VDMOS器件 高强度气体放电灯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：W波段 深槽 氮化镓 半导体 毫米波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
税国华
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：互补双极工艺 可靠性 MEMS 传输路径 SPC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨永晖
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 介质层 多晶硅栅 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正元
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：微电子机械系统 硅薄膜 多晶硅 电路 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王飞
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：磁共振成像 双极晶体管 NPN双极晶体管 功耗电流 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阚玲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体工艺 IC芯片 氧化物 可靠性 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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