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陈万军

作品数：34 被引量：81H指数：5
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
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张波
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 导电类型 无线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李肇基
供职机构：电子科技大学
研究主题：击穿电压 功率器件 导电类型 SOI 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙瑞泽
供职机构：电子科技大学
研究主题：漂移区 关断损耗 IGBT 极区 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周琦
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：增强型 氮化镓 功率器件 ALGAN/GAN_HEMT P-GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘超
供职机构：中国科学院光电技术研究所
研究主题：自适应光学 激光通信 自适应光学技术 大气湍流 光通信
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张竞
供职机构：电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 功率 HFET NMOS 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪志刚
供职机构：电子科技大学
研究主题：场发射阵列 场发射 ALGAN/GAN 氮化镓 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓小川
供职机构：电子科技大学
研究主题：碳化硅 MOSFET器件 槽栅 击穿电压 接触区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阮建新
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：MCT 脉冲放电 IGBT 绝缘栅晶体管 DI/DT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金平
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 功率半导体器件 关断损耗 槽栅 漂移区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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