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杨乾坤

作品数：15 被引量：8H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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合作作者

领域

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主题

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机构

  • 13个南京电子器件...
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资助

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传媒

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地区

  • 13个江苏省
共 13 条 记 录，以下是 1-10
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张东国
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 SIC衬底 二维电子气 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭大青
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 GAN SIC衬底 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李传皓
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC衬底 MOCVD ALN 金属有机物化学气相沉积 GAN薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗伟科
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN薄膜 MOCVD SIC衬底 金属有机物化学气相沉积 ALN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董逊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亮
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MOCVD GAN薄膜 二维电子气 ALGAN ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘磊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：金属有机物化学气相沉积 异质结材料 GAN SI基 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴少兵
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN 电子束直写 低噪声放大器 GAN高电子迁移率晶体管 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔岑
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SI基 MMIC ALGAN/GAN_HEMT ALGAN 过渡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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