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王谦

作品数：26 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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共 10 条 记 录，以下是 1-10
程新红
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 功率器件 栅结构 击穿电压 石墨烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
俞跃辉
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 离子注入 石墨烯 功率器件 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑理
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：石墨烯 增强型 半桥电路 外延层 P-GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈玲燕
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：石墨烯 金属电极 重掺杂 电极 源区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张栋梁
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：石墨烯 金属电极 重掺杂 功率器件 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹铎
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：石墨烯 介质薄膜 漂移 掩膜版 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王中健
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 石墨烯 介质薄膜 离子注入 漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李静杰
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：钝化层 钝化 石墨烯 MOS电容器 ALGAN/GAN_HEMT器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大伟
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 介质薄膜 栅极 光刻胶 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏超
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 介质薄膜 金属 离子注入 漂移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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