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刘刚

作品数：95 被引量：77H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
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刘梦新
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 绝缘体上硅 硅化物 探测电路 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵发展
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 电路 半导体器件 漏极 单粒子翻转
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗家俊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王立新
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：VDMOS 功率MOSFET器件 热阻 外延层 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毕津顺
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电路 绝缘体上硅 SOI 沟道 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高博
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：负温度系数 电性能参数 退火效应 热敏电阻材料 总剂量效应
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陆江
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：功率器件 绝缘栅双极晶体管 栅氧化层 集成电路 静电保护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超荣
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 硅化物 SOI_LDMOS PMOS 辐射剂量计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任迪远
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：电离辐射 剂量率 退火 剂量率效应 运算放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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