2024年12月27日
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孙博韬
作品数:
23
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
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合作作者
王立新
中国科学院微电子研究所
张彦飞
中国科学院微电子研究所
宋李梅
中国科学院微电子研究所
丁艳
中国科学院微电子研究所
肖超
中国科学院微电子研究所
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王立新
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:VDMOS 功率MOSFET器件 热阻 外延层 功率器件
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张彦飞
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:外延层 功率VDMOS器件 氧化层 功率器件 单粒子
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宋李梅
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:漂移区 VDMOS LDMOS 功率VDMOS器件 晶闸管
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丁艳
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:外延层 栅氧化层 槽栅 表面层 MOS晶体管
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肖超
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:外延层 VDMOS 热阻 掺杂 MOS晶体管
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韩郑生
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
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高博
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:负温度系数 电性能参数 退火效应 热敏电阻材料 总剂量效应
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罗家俊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
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单尼娜
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:VDMOS 场效应晶体管 辐照 阈值电压 金属氧化物半导体
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刘刚
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:背栅 硅化物 绝缘体上硅 功率VDMOS器件 单粒子
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