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罗克俭

作品数:4 被引量:16H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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14 条 记 录,以下是 1-10
杨小平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 超晶格 激子 砷化铝 自组织
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐士杰
供职机构:四川大学物理科学与技术学院
研究主题:砷化镓 纳米硅薄膜 半导体 GAAS 纳米硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑厚植
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 半导体 量子点 GAAS GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余明斌
供职机构:西安理工大学理学院应用物理系
研究主题:纳米硅薄膜 纳米硅 光致发光 多孔硅 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李承芳
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院
研究主题:YB PR 光子晶体 共掺 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘剑
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:模数转换器 太赫兹波 电容失配 图像 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宇亮
供职机构:南京大学物理学院物理学系
研究主题:纳米硅薄膜 纳米硅 硅 硅薄膜 H
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张耀辉
供职机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题:超晶格 聚光器 砷化镓 聚光 空间光调制器
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奚中和
供职机构:北京大学
研究主题:硅 半导体材料 底面 硅表面 金字塔形
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘伟
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 单光子探测 超晶格 场效应晶体管 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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