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魏学成

作品数：72 被引量：39H指数：5
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术轻工技术与工程更多>>

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李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵丽霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 可见光通信 调制带宽 表面等离激元 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏同波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 衬底 氮化镓 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵有文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 单晶生长 INP 砷化铟 ZNO单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董志远
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 磷化铟 ZNO单晶 ZNO INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫建昌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：紫外发光二极管 发光二极管 ALGAN 电子阻挡层 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张宁
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 多量子阱 LED外延片 LED 光电子器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王国宏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 多量子阱 衬底 外延片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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