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王玉琦

作品数:15 被引量:32H指数:4
供职机构:中国科学院固体物理研究所更多>>
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相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

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王建农
供职机构:香港科技大学
研究主题:3C-SIC 薄层 碳化硅 砷化镓 SI衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
史同飞
供职机构:中国科学院固体物理研究所
研究主题:GAMNAS 稀磁半导体 稀磁半导体薄膜 XAFS MN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗海林
供职机构:香港科技大学
研究主题:光探测器 光电晶体管 双极晶体管 噪声 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李新化
供职机构:中国科学院合肥物质科学研究院
研究主题:氮化镓 超高真空 磁控溅射 超高真空系统 分子束外延法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
亢宝位
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院
研究主题:IGBT 绝缘栅双极晶体管 晶体管 JFET 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖正国
供职机构:中国科学院固体物理研究所
研究主题:NIO 聚合物太阳能电池 透明导电 MN GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗向东
供职机构:南通大学
研究主题:光学性质 GAAS GAN X 光谱研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭浩民
供职机构:中国科学院合肥物质科学研究院
研究主题:控制棒组件 落棒 液态金属 反应性 反应堆
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王哲
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院
研究主题:IGBT 仿真 晶体管 GA LPL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐仲英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 量子点 INGAAS/GAAS 自组织生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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