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李赟

作品数:71 被引量:5H指数:2
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文基金:国家部委预研基金更多>>
相关领域:电子电信化学工程文化科学一般工业技术更多>>

领域

  • 15个电子电信
  • 10个一般工业技术
  • 9个化学工程
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主题

  • 14个碳化硅
  • 13个衬底
  • 12个单晶
  • 12个晶体管
  • 11个外延片
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  • 9个氮化镓
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  • 8个单晶薄膜
  • 8个电学
  • 8个电子器件
  • 8个异质结
  • 7个氮化
  • 6个单晶硅
  • 6个氮化物
  • 6个电极
  • 6个电子迁移率
  • 6个层数
  • 5个氮化硅
  • 5个氮化铝

机构

  • 17个中国电子科技...
  • 2个南京电子器件...
  • 1个南京大学
  • 1个中国科学院
  • 1个微波毫米波单...

资助

  • 4个国家自然科学...
  • 3个国家高技术研...
  • 3个国家部委预研...
  • 2个国家重点基础...
  • 2个江苏省自然科...
  • 1个江苏省科技支...
  • 1个国家教育部博...
  • 1个微波毫米波单...

传媒

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  • 1个中国电子科学...
  • 1个2002年中...

地区

  • 17个江苏省
17 条 记 录,以下是 1-10
赵志飞
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:碳化硅 外延层 外延片 硅外延 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:氮化物 成核 单晶薄膜 氮化镓 氮化铝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱志明
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:硅衬底 碳化硅薄膜 载气 超晶格 层数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李哲洋
供职机构:南京大学
研究主题:4H-SIC SIC_MESFET MESFET SIC 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董逊
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:势垒 高电子迁移率晶体管 4H-SIC 碳 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴维丽
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:外延片 集成电路 微波功率器件 碳化硅 D试验
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹志军
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:超晶格结构 超晶格 层数 GAAS衬底 半导体薄膜材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高汉超
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:发射极 基极 外延片 超晶格结构 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张东国
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:氮化物 氮化铝 成核 氮化镓 晶体质量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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