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李赟
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71
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供职机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
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合作作者
赵志飞
中国电子科技集团公司第五十五研...
李忠辉
中国电子科技集团公司第五十五研...
李哲洋
中国电子科技集团公司第五十五研...
朱志明
中国电子科技集团公司第五十五研...
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中国电子科技集团公司第五十五研...
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赵志飞
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:碳化硅 外延层 外延片 硅外延 衬底
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李忠辉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:氮化物 成核 单晶薄膜 氮化镓 氮化铝
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朱志明
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:硅衬底 碳化硅薄膜 载气 超晶格 层数
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李哲洋
供职机构:南京大学
研究主题:4H-SIC SIC_MESFET MESFET SIC 碳化硅
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董逊
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 势垒 成核
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陈辰
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:势垒 高电子迁移率晶体管 4H-SIC 碳 硅
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吴维丽
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:外延片 集成电路 微波功率器件 碳化硅 D试验
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尹志军
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:超晶格结构 超晶格 层数 GAAS衬底 半导体薄膜材料
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高汉超
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:发射极 基极 外延片 超晶格结构 超晶格
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张东国
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:氮化物 氮化铝 成核 氮化镓 晶体质量
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