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曹昕

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔梅影
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 MBE GSMBE生长 GAAS GSMBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘量
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MBE生长 INAS 砷化铟 MBE PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常勇
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：光致发光 HG CD HGCDTE 汞镉碲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王保强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：振荡器 沟道 MM-HEMT材料 MBE生长 MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张昉昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MBE生长 MBE 分子束外延生长 掺杂 PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
褚君浩
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：铁电 铁电薄膜 红外探测器 HGCDTE HG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱战萍
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 分子束外延 ALGAAS MBE 大功率半导体激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓光
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：YAG 红外光致发光 P 发光 调制技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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