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钟汇才

作品数：380 被引量：40H指数：4
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梁擎擎
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 介质层 半导体 沟道 半导体结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱慧珑
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 金属硅化物 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹海洲
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 半导体结构 沟道 鳍片 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
骆志炯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 半导体结构 沟道 堆叠 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶甜春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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