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孙佳胤

作品数：21 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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合作作者

领域

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地区

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共 18 条 记 录，以下是 1-10
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈静
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 阈值电压 SOI 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张恩霞
供职机构：上海工程技术大学材料工程学院
研究主题：SOI SIMOX 绝缘体上硅 SOI材料 抗辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
武爱民
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：硅基 硅 波导 光子晶体 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱聪
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：总剂量辐射效应 沟道 总剂量辐射 场区 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺威
供职机构：深圳大学
研究主题：氮化镓 肖特基二极管 沟道 单粒子翻转 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
欧欣
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：衬底 缺陷层 键合 压电薄膜 谐振器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金波
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 注氧隔离 SIMON 氧 高温退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张国强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SIMOX SOI 氮 SIMON 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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