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罗卫军

作品数：121 被引量：32H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晓娟
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HEMT ALGAN/GAN KU波段 ALGAN/GAN_HEMT GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
庞磊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN_HEMT 研磨工艺 氮化镓 减薄 金属
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁婷婷
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN_HEMT DOHERTY功率放大器 氮化镓 KU波段 微带型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪宁
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：减薄 研磨工艺 光刻胶 化学机械抛光 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏珂
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 势垒层 欧姆接触 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖红领
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王翠梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 迁移率 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡国新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 金属有机物化学气相沉积 MOCVD GAN 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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