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王晓磊

作品数：110 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理文化科学更多>>

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共 28 条 记 录，以下是 1-10
王文武
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 刻蚀 纳米线 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马雪丽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 阈值电压 沟道 介质层 半导体结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩锴
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 界面层 金属栅 阈值电压 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨红
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 金属栅 功函数 衬底 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李永亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 半导体 晶体管 源区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈世杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：界面层 半导体器件 介质层 阈值电压 金属栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
项金娟
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 存储器 半导体结构 刻蚀 界面层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 金属硅化物 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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