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李竟春

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>

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领域

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资助

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地区

  • 7个四川省
  • 3个重庆市
共 10 条 记 录，以下是 1-10
曹建强
供职机构：电子科技大学
研究主题：电流 逻辑器件 本征 源区 金属栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向展
供职机构：电子科技大学
研究主题：栅氧化层 沟道 半导体技术 电流 本征
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏琪
供职机构：电子科技大学
研究主题：逻辑器件 电流 超大规模集成电路 低K介质 杨氏模量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐世六
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 逐次逼近型模数转换器 采样开关 逐次逼近型 SAR_ADC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：W波段 深槽 氮化镓 半导体 毫米波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于奇
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯建
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：多晶硅 SOI 键合 氧化层 硅片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：SIGE 电流崩塌 表面态 CMOS GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨洪东
供职机构：电子科技大学
研究主题：锗硅 互补金属氧化物半导体 CMOS器件 沟道 微米工艺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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