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林燕霞

作品数:8 被引量:7H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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李建平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 MOCVD GSMBE生长 GSMBE 碳化硅衬底
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黄大定
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GSMBE生长 硅 年谱 半导体材料 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘金平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GSMBE GESI/SI 硅化锗 SIGE 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙殿照
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 GSMBE生长 氮化镓 GSMBE 半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔梅影
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 MBE GSMBE生长 GAAS GSMBE
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高斐
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延生长 原位掺杂 GSMBE生长 晶体管材料 SIGE/SI
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刘学锋
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GSMBE GESI/SI SIGE 锗化硅 硅化锗
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林兰英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱世荣
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GSMBE生长 半导体材料 分子束外延 GSMBE 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李灵霄
供职机构:中国科学院
研究主题:GSMBE GSMBE生长 MBE 磷化铟 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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