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魏同波

作品数:137 被引量:201H指数:7
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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82 条 记 录,以下是 1-10
王军喜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫建昌
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:紫外发光二极管 发光二极管 ALGAN 电子阻挡层 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段瑞飞
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氢化物气相外延 衬底 厚膜 GAN 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘喆
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GAN 发光二极管 氮化镓 衬底 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏学成
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 ZNO单晶 氮化镓 大尺寸 ZNO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴奎
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:发光二极管 二氧化硅 蓝宝石 刻蚀 纳米
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 电子阻挡层 成核 铟镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姬小利
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分布布拉格反射镜 氮化镓 ALGAN GAN 发光器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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