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陶凯
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7
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H指数:3
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
美国国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
邹世昌
中国科学院上海微系统与信息技术...
俞跃辉
中国科学院上海微系统与信息技术...
邢玉梅
中国科学院上海微系统与信息技术...
郑志宏
中国科学院上海微系统与信息技术...
宋朝瑞
中国科学院上海微系统与信息技术...
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邹世昌
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
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俞跃辉
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 离子注入 石墨烯 功率器件 金属
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宋朝瑞
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI材料 SOI 介质薄膜 SOI_LDMOS 高介电常数
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邢玉梅
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:碳化硅 高温 氧化铪 SOI材料 铪
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郑志宏
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子束辅助沉积 铪 离子注入 离子束增强沉积 性能研究
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杨文伟
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:功率器件 击穿电压 SOI材料 LDMOS SOI_LDMOS
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孙凌
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:超薄栅 氧 界面态 电学 迁移率
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孙震海
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:二氧化硅 磷 WSIX NUMERICAL_STUDY DETACHMENT
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王曦
供职机构:清华大学
研究主题:衬底 离子注入 SOI 硅 绝缘体
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易万兵
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI SIMOX 氧 氮 注氧隔离
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