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李晓静

作品数：9 被引量：15H指数：2
供职机构：中国科学院更多>>
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相关领域：电子电信生物学金属学及工艺理学更多>>

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地区

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共 30 条 记 录，以下是 1-10
曾传滨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：静电保护 集成电路 绝缘体上硅 埋氧层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗家俊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高林春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 静电保护 隔离区 接触区 漏电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构：中国科学院
研究主题：总剂量效应 场效应晶体管 磁共振脑功能成像 体硅 激光雷达
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 二次谐波 绝缘体上硅 背栅 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫薇薇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：静电保护 埋氧层 硅化物 隔离区 可控硅器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵发展
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 电路 半导体器件 漏极 单粒子翻转
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：静电保护 埋氧层 绝缘体上硅 漏电 自加热效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴亮亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：太阳能电池 欧姆接触 P-GAN INGAN/GAN INGAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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