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陈梦真

作品数:19 被引量:26H指数:4
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程水利工程更多>>

领域

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地区

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24 条 记 录,以下是 1-10
孙宝银
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化硅薄膜 LPCVD X射线光刻 氮化硅 可见光发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶甜春
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢常青
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:电子束光刻 X射线光刻 敏感膜 存储器 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵玲莉
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:LPCVD X射线光刻 氮化硅 氮化硅薄膜 可见光发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩阶平
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:光刻 光敏聚酰亚胺 集成电路 聚酰亚胺 磁路结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱樟震
供职机构:中国科学院高能物理研究所
研究主题:X射线光刻 光刻胶 光刻 X射线掩模 X射线
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李秀琼
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:掺杂 半导体 集成电路 辉光放电 电子束
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩一琴
供职机构:中国科学院研究生院
研究主题:多晶硅薄膜 微晶硅薄膜 热丝 热丝化学气相沉积 LPCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘辉
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:微电子机械系统 HEMT 开关功率放大器 芯片 氮化硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石万全
供职机构:中国科学院研究生院
研究主题:硅 离子注入 氮化硅 LPCVD 氮化硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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