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崔伟

作品数：32 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
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谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨永晖
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 介质层 多晶硅栅 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构：中国电子科技集团
研究主题：SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐昭焕
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邱盛
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 终端 耐压性能 场效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐学良
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：电路 HBT 半导体器件 电场分布 SIGE/SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋和全
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 A/D转换器 采样 逐次逼近型模数转换器 漂移区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈良
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：场效应 槽栅 MOS器件 半绝缘 漂移区
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐炀
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：平行缝焊 半导体器件 烘培 封装 储能焊
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈俊
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：SOI 半导体集成电路 恒定跨导 集成电路 化学机械抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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