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单尼娜

作品数：8 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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合作作者

领域

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地区

  • 13个北京市
共 13 条 记 录，以下是 1-10
王立新
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：VDMOS 功率MOSFET器件 热阻 外延层 功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭春生
供职机构：北京工业大学
研究主题：结温 热阻 半导体器件 激活能 可靠性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕长志
供职机构：北京工业大学
研究主题：可靠性 晶体管 ALGAN/GAN_HEMT IGBT 加速寿命试验
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李志国
供职机构：北京工业大学
研究主题：可靠性 半导体器件 欧姆接触 加速寿命试验 微电子器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏洋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 等离子体浸没离子注入 刻蚀 VDMOS ALD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙博韬
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：外延层 栅氧化层 氧化层 VDMOS 辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马卫东
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院
研究主题：可靠性 加速寿命试验 应力 激活能 温度斜坡
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张小玲
供职机构：北京工业大学
研究主题：IGBT 可靠性 晶体管 ALGAN/GAN_HEMT HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋李梅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：漂移区 VDMOS LDMOS 功率VDMOS器件 晶闸管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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