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刘巽琅

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
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合作作者

领域

  • 9个电子电信
  • 8个理学
  • 1个机械工程
  • 1个电气工程
  • 1个环境科学与工...
  • 1个一般工业技术
  • 1个文化科学

主题

  • 11个单晶
  • 7个半绝缘
  • 6个英寸
  • 6个抛光
  • 6个热稳定
  • 6个热稳定性
  • 6个热稳定性研究
  • 6个磷化铟
  • 6个半导体
  • 6个半导体材料
  • 5个直径
  • 5个砷化镓
  • 5个抛光片
  • 5个INP单晶
  • 4个性能研究
  • 4个亚表面损伤层
  • 4个射线
  • 4个损伤层
  • 3个单晶生长
  • 3个电学

机构

  • 11个中国科学院

资助

  • 7个国家自然科学...
  • 1个国家重点基础...

传媒

  • 8个Journa...
  • 5个稀有金属
  • 5个固体电子学研...
  • 5个首届中国功能...
  • 4个中国有色金属...
  • 3个第十二届全国...
  • 2个人工晶体学报
  • 2个第十四届全国...
  • 1个半导体情报
  • 1个中国科学（A...
  • 1个表面技术
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  • 1个2000年中...
  • 1个第14届全国...

地区

  • 11个北京市
共 11 条 记 录，以下是 1-10
蒋伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 氧化剂 半导体材料 碱性 溴
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶式中
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 浮渣 固体物料 单晶炉 晶体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
惠峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 抛光晶片 GAAS SI-GAAS 晶片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙文荣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 INP 半绝缘 INAS GASB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵建群
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 半导体材料 单晶 孪晶 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹惠梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：INP单晶 半绝缘 单晶 磷化铟 直径
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴让元
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 SI-GAAS GAAS 化学机械抛光 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宏家
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SI-GAAS 半绝缘 GAAS单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹福年
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SI-GAAS 砷化镓 亚表面损伤层 GAAS SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金盾
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：INP单晶 半绝缘 单晶 磷化铟 直径
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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