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袁之良

作品数：8 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
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合作作者

领域

  • 21个电子电信
  • 21个理学
  • 11个机械工程
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  • 3个核科学技术
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主题

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机构

  • 21个中国科学院
  • 6个国家光电子工...
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  • 2个中山大学
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  • 1个复旦大学
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  • 1个广西大学
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  • 1个南开大学
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  • 1个河北工学院
  • 1个北京工业大学
  • 1个清华大学
  • 1个西安理工大学
  • 1个天津工业大学
  • 1个昆明物理研究...

资助

  • 21个国家自然科学...
  • 11个国家攀登计划
  • 9个国家重点基础...
  • 8个国家高技术研...
  • 4个中国博士后科...
  • 4个国家教育部博...
  • 4个国家重点实验...
  • 3个北京市自然科...
  • 3个江苏省自然科...
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  • 3个中国科学院重...
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传媒

  • 20个Journa...
  • 19个物理学报
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  • 4个电子学报
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地区

  • 16个北京市
  • 3个上海市
  • 1个陕西省
  • 1个天津市
共 21 条 记 录，以下是 1-10
徐仲英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 量子点 INGAAS/GAAS 自组织生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑宝真
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 光致发光 INGAAS/GAAS 自组织生长 砷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许继宗
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 自组织生长 砷化铟 MBE 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗昌平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 超晶格 INGAAS/GAAS GAAS/ALAS 伏法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金世荣
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：起偏器 半导体 INGAAS/GAAS 光学系统 步进马达
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕振东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：自组织生长 砷化镓 砷化铟 INAS/GAAS 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛智川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 GAAS 超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨小平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 超晶格 激子 砷化铝 自组织
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周增圻
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MBE生长 分子束外延 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
褚君浩
供职机构：华东师范大学
研究主题：铁电 铁电薄膜 红外探测器 HGCDTE HG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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