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王剑屏

作品数：13 被引量：72H指数：6
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地区

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共 25 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭军
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所
研究主题：复合氧化物 氧化铁 氧敏材料 碳化硅 气敏特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张廷庆
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：离子注入 BF MOS器件 多晶硅栅 锑化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘家璐
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：离子注入 BF MOS器件 多晶硅栅 锑化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张永华
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅薄膜 碳化硅 化学汽相淀积 蓝宝石衬底 异质外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱作云
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 压力传感器 高温压力传感器 SIC SIC薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭宏论
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：总剂量效应 MOS器件 半导体器件 辐照效应 大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宝平
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：总剂量效应 总剂量 辐照 测试系统 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚育娟
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：MOS器件 总剂量效应 半导体器件 辐照效应 大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘传洋
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：MOS器件 金属-氧化物-半导体器件 辐照效应 阈值电压漂移 低剂量率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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