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洪玲伟

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
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地区

  • 7个浙江省
共 7 条 记 录，以下是 1-7
张海鹏
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：沟道 SOI_LDMOS 氧化层 埋层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐瑞生
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：沟道 埋层 氧化层 阳极 金属电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孟晓
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：SOI_LDMOS 沟道 抗ESD 芯片面积 线性电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余育新
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：SOI_LDMOS 沟道 抗ESD 芯片面积 线性电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊杰
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：SOI_LDMOS 三相不平衡度 沟道 初始化 成本函数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章红芳
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：SOI_LDMOS 抗ESD 芯片面积 系统可靠性 电力电子系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱青
供职机构：杭州电子科技大学
研究主题：HFSS C波段 高隔离度 宽带
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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