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孙小玲

作品数：5 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 14 条 记 录，以下是 1-10
杨辉
供职机构：中国科学院地质与地球物理研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 欧姆接触电极 紫外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉田
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 X射线双晶衍射 GAN MOCVD 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑联喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 MOCVD 立方相 MOCVD生长 立方相GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大鹏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：立方相 MOCVD 砷化镓 氮化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李国华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 静压 光致发光研究 超晶格 喇曼散射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵德刚
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 紫外探测器 衬底 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李顺峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：立方相 GAN MOCVD INGAN 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张书名
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 发光 立方相
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 GROWTH X射线衍射 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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