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赵德刚

作品数：281 被引量：270H指数：9
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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刘宗顺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 衬底 氮化镓基激光器 波导 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 衬底 波导 氮化镓基激光器 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱建军
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：氮化镓 GAN 衬底 激光器 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨辉
供职机构：中国科学院地质与地球物理研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 欧姆接触电极 紫外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨静
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 波导 外延片 非掺杂 氮化镓基激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江德生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 砷化镓 衬底 量子点 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁锋
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 波导 氮化镓基激光器 电子阻挡层 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张书明
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：氮化镓 GAN 欧姆接触电极 氮化镓基发光二极管 氮化镓基激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
乐伶聪
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：太阳能电池 INGAN 欧姆接触 电流扩展 载流子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晓静
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：成核 太阳能电池 载流子 MOCVD生长 INGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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