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李灵霄

作品数：15 被引量：16H指数：2
供职机构：中国科学院更多>>
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合作作者

领域

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主题

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机构

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资助

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传媒

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地区

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  • 1个陕西省
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孔梅影
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 MBE GSMBE生长 GAAS GSMBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙殿照
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 GSMBE生长 氮化镓 GSMBE 半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李建平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOCVD GSMBE生长 GSMBE 碳化硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱世荣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE生长 半导体材料 分子束外延 GSMBE 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘学锋
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE GESI/SI SIGE 锗化硅 硅化锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱战平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MM-HEMT材料 分子束外延生长 沟道 MBE生长 MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘金平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE GESI/SI 硅化锗 SIGE 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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