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李光平
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12
被引量:13
H指数:3
供职机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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理学
自动化与计算机技术
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合作作者
董彦辉
中国电子科技集团公司第四十六研...
郑庆瑜
中国电子科技集团公司第四十六研...
汝琼娜
中国电子科技集团公司第四十六研...
何秀坤
中国电子科技集团公司第四十六研...
李静
中国电子科技集团公司第四十六研...
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董彦辉
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:介电常数 INP单晶 硫 磷 硅
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汝琼娜
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:砷化镓 半导体材料 碳 碳含量 半绝缘砷化镓
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郑庆瑜
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:半绝缘砷化镓 TSC 热激电流 硅 硅铝合金
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所获资助
研究领域
李静
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:ICP-AES GAAS表面 碳 硅 半绝缘砷化镓
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何秀坤
供职机构:峨嵋半导体材料厂
研究主题:碳 硅 砷化镓 半导体材料 红外辐射
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刘二海
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
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周晓龙
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 INP单晶 单晶生长 掺杂 波函数
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周智慧
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:INP单晶 硫 磷 单晶材料 位错密度
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杨光耀
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
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所获资助
研究领域
徐永强
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
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