2024年12月24日
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卢盛辉
作品数:
13
被引量:9
H指数:1
供职机构:
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
模拟集成电路国家重点实验室开放基金
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相关领域:
电子电信
机械工程
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合作作者
杜江锋
电子科技大学微电子与固体电子学...
杨谟华
电子科技大学微电子与固体电子学...
罗谦
电子科技大学微电子与固体电子学...
周伟
电子科技大学微电子与固体电子学...
夏建新
电子科技大学微电子与固体电子学...
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杜江锋
供职机构:电子科技大学
研究主题:氮化镓 异质结场效应晶体管 肖特基接触 势垒 铝镓氮
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罗谦
供职机构:电子科技大学
研究主题:肖特基接触 击穿特性 导通 HEMT器件 氮化镓
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杨谟华
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题:SIGE 电流崩塌 表面态 CMOS GAN
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周伟
供职机构:电子科技大学
研究主题:表面态 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 氮化镓 微波
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夏建新
供职机构:电子科技大学
研究主题:GAN 表面态 电流崩塌 高电子迁移率晶体管 肖特基接触
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于奇
供职机构:电子科技大学
研究主题:氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
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靳翀
供职机构:电子科技大学
研究主题:表面态 电流崩塌 GAN 高电子迁移率晶体管 电场分布
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罗大为
供职机构:电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题:电流崩塌 氮化镓 场板 GAN高电子迁移率晶体管 温度分布
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严地
供职机构:电子科技大学
研究主题:ALGAN/GAN_HEMT 高电子迁移率晶体管 击穿特性 氮化镓 铝镓氮
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杨洪东
供职机构:电子科技大学
研究主题:锗硅 互补金属氧化物半导体 CMOS器件 沟道 微米工艺
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