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周增圻

作品数：17 被引量：20H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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林耀望
供职机构：南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室
研究主题：砷化镓 GAAS MBE生长 分子束外延 INGAAS/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛智川
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 量子点 GAAS 超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴荣汉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 多量子阱 GAAS 垂直腔面发射激光器 GAAS/GAALAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
潘钟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：垂直腔面发射激光器 GAAS 半导体激光器 镓 INGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李朝勇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SI 垂直腔面发射激光器 垂直腔面发射 毫安 室温
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁之良
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 INGAAS/GAAS 激子 量子线 GAAS/ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 GROWTH X射线衍射 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王圩
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 硅基 单片集成
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李新峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 砷化镓 氮化 立方相 电子显微分析
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐仲英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 量子点 INGAAS/GAAS 自组织生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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