2024年12月28日
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余学峰
作品数:
115
被引量:147
H指数:7
供职机构:
中国科学院新疆理化技术研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
中国科学院西部之光基金
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相关领域:
电子电信
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电气工程
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合作作者
郭旗
中国科学院新疆理化技术研究所
任迪远
中国科学院新疆理化技术研究所
崔江维
中国科学院研究生院
陆妩
中国科学院新疆理化技术研究所
郑齐文
中国科学院研究生院
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郭旗
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:辐照 剂量率 总剂量效应 总剂量 退火
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所获资助
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任迪远
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:电离辐射 剂量率 退火 剂量率效应 运算放大器
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崔江维
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:总剂量效应 总剂量辐射 总剂量辐照 总剂量 总剂量辐射效应
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陆妩
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:剂量率 剂量率效应 电离辐射 退火 运算放大器
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郑齐文
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:总剂量效应 总剂量辐射 总剂量辐照 绝缘体上硅 总剂量
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研究领域
孙静
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:辐照 总剂量效应 总剂量 剂量计 电荷分离
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李豫东
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:辐照 CMOS图像传感器 电荷耦合器件 总剂量辐射 剂量率
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严荣良
供职机构:中国科学院新疆物理研究所
研究主题:电离辐射 MOS器件 运算放大器 界面态 退火
发表作品
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所获资助
研究领域
魏莹
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:总剂量效应 总剂量辐射 总剂量辐射效应 总剂量辐照 总剂量
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研究领域
张国强
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:电离辐射 F MOSFET 界面态 退火
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