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徐仲英

作品数：60 被引量：51H指数：5
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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许继宗
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 自组织生长 砷化铟 MBE 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑宝真
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 光致发光 INGAAS/GAAS 自组织生长 砷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗向东
供职机构：南通大学
研究主题：光学性质 GAAS GAN X 光谱研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕振东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：自组织生长 砷化镓 砷化铟 INAS/GAAS 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
葛惟昆
供职机构：清华大学理学院物理系
研究主题：能级 外加磁场 测量方法 深能级瞬态谱 诺贝尔物理学奖
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁之良
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 INGAAS/GAAS 激子 量子线 GAAS/ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宗圭
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 自组织生长 GAAS 砷化铟 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭平恒
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：拉曼光谱 层数 石墨烯 光谱仪 拉曼
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑厚植
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 半导体 量子点 GAAS GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗昌平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 超晶格 INGAAS/GAAS GAAS/ALAS 伏法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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