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钟兴儒

作品数：21 被引量：14H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 30 条 记 录，以下是 1-10
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈诺夫
供职机构：华北电力大学
研究主题：太阳电池 砷化镓 衬底 磁性半导体 多晶硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴金良
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 SUB 单晶 单晶薄膜 六方氮化硼
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨君玲
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磁性半导体 半导体材料 半导体 磁性材料 磁体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宏家
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SI-GAAS 半绝缘 GAAS单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 电子阻挡层 成核 铟镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘喆
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN 发光二极管 氮化镓 衬底 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉田
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 X射线双晶衍射 GAN MOCVD 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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