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邹吕凡

作品数：6 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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合作作者

领域

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主题

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机构

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  • 1个中国科学院大...

资助

  • 10个国家自然科学...
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传媒

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地区

  • 14个北京市
共 14 条 记 录，以下是 1-10
孙殿照
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 GSMBE生长 氮化镓 GSMBE 半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范缇文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 分子束外延 X GAAS SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘学锋
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE GESI/SI SIGE 锗化硅 硅化锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李建平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOCVD GSMBE生长 GSMBE 碳化硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何沙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：吸积盘 晶格畸变 COOPER PAIR 费米
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔梅影
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 MBE GSMBE生长 GAAS GSMBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄大定
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE生长 硅 年谱 半导体材料 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李灵宵
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE 硅 SI 热裂解 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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