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赵超荣

作品数:16 被引量:5H指数:1
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韩郑生
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘梦新
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:背栅 绝缘体上硅 硅化物 探测电路 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:背栅 硅化物 绝缘体上硅 功率VDMOS器件 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范雪梅
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:背栅 SOI_LDMOS 射频 硅化物 多晶硅栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜寰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:LDMOS 硅基液晶 像素电路 静电保护 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毕津顺
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:电路 绝缘体上硅 SOI 沟道 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡云中
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:芯片 电学测量 引线 版图 电路版图
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
雒建斌
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:芯片 电学测量 引线 版图 电路版图
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵发展
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SRAM 电路 半导体器件 漏极 单粒子翻转
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李多力
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:SOI 埋氧层 绝缘体上硅 隔离区 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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