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赖占平

作品数：19 被引量：31H指数：4
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
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领域

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地区

  • 28个天津市
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共 29 条 记 录，以下是 1-10
齐德格
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：砷化镓 GAAS单晶 晶体生长 SI-GAAS材料 半导体材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周春锋
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：VGF GAAS 砷化镓 单晶生长 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高瑞良
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：半绝缘 半导体物理学 晶片 LEC 半绝缘砷化镓单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨瑞霞
供职机构：河北工业大学
研究主题：砷化镓 GAAS 太阳电池 磷化铟 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程红娟
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：单晶 晶体 HVPE 氮化镓 DAST
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨巍
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：成核 表面形貌 HVPE 氮化镓 蓝宝石衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张富强
供职机构：河北工业大学
研究主题：砷化镓 半绝缘GAAS 半绝缘 电传输特性 EL2
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐海涛
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：籽晶 PVT ALN 碳化硅 单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张亮
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题：碳 硼 晶体 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
连军
供职机构：河北工业大学
研究主题：超大规模集成电路 二氧化硅 化学机械抛光 层间介质 氧化铈
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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