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王玉田

作品数:70 被引量:95H指数:5
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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杨辉
供职机构:中国科学院地质与地球物理研究所
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 欧姆接触电极 紫外探测器
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梁骏吾
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体材料 GAN MOCVD 硅 多晶硅
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林兰英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
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郑新和
供职机构:北京科技大学
研究主题:太阳能电池 GAN 有源 导电类型 氮化镓
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庄岩
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:超晶格 X射线双晶衍射 X射线衍射 INGAAS/INALAS 多量子阱
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赵德刚
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 紫外探测器 衬底 欧姆接触
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渠波
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:立方相 氮化镓 GAN外延层 外延层 立方GAN
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何宏家
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS SI-GAAS 半绝缘 GAAS单晶
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郑联喜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 MOCVD 立方相 MOCVD生长 立方相GAN
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徐大鹏
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:立方相 MOCVD 砷化镓 氮化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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