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韩郑生

作品数：652 被引量：237H指数：7
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罗家俊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
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赵发展
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 电路 半导体器件 漏极 单粒子翻转
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卜建辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：建模方法 SOI MOS器件 半导体器件 集成电路
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毕津顺
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电路 绝缘体上硅 SOI 沟道 单粒子
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曾传滨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：静电保护 集成电路 绝缘体上硅 埋氧层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李多力
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 埋氧层 绝缘体上硅 隔离区 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘海南
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：集成电路 输入端 存储器 单粒子翻转 单粒子
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海潮和
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 PDSOI 集成电路 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘梦新
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 绝缘体上硅 硅化物 探测电路 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 二次谐波 绝缘体上硅 背栅 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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