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赵振波

作品数：7 被引量：38H指数：4
供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
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共 17 条 记 录，以下是 1-10
牛萍娟
供职机构：天津工业大学
研究主题：LED 共振隧穿二极管 RTD 发光二极管 大功率LED
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁惠来
供职机构：天津大学电子信息工程学院
研究主题：共振隧穿二极管 RTD 串联电阻 谐振隧穿二极管 负阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭维廉
供职机构：天津大学
研究主题：共振隧穿二极管 RTD 负阻器件 共振隧穿器件 负阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张世林
供职机构：天津大学
研究主题：共振隧穿二极管 RTD CMOS 光电探测器 振荡器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张豫黔
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：INGAAS/INP RTD 负阻特性 共振隧穿二极管 量子效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝景臣
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：RTD 负阻特性 共振隧穿二极管 量子效应 振荡频率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周均铭
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 分子束外延 多量子阱 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨中月
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：T型栅 深紫外 波导型 压块 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏碧华
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：HEMT MMIC GHZ 在片测试 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文君
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：砷化镓 纳米电子器件 纳电子器件 GAAS集成电路 辐照效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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