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罗大为

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
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共 10 条 记 录，以下是 1-10
罗谦
供职机构：电子科技大学
研究主题：肖特基接触 击穿特性 导通 HEMT器件 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢盛辉
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：电流崩塌 场板 ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 表面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜江锋
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 异质结场效应晶体管 肖特基接触 势垒 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：SIGE 电流崩塌 表面态 CMOS GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
靳翀
供职机构：电子科技大学
研究主题：表面态 电流崩塌 GAN 高电子迁移率晶体管 电场分布
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周伟
供职机构：电子科技大学
研究主题：表面态 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 氮化镓 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严地
供职机构：电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN_HEMT 高电子迁移率晶体管 击穿特性 氮化镓 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于奇
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龙飞
供职机构：电子科技大学
研究主题：电流崩塌 电流崩塌效应 表面态 ALGAN/GAN_HEMT 物理模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱磊
供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院
研究主题：互连线 物理模型 等效电路 Π 高损耗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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