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汪辉

作品数:9 被引量:15H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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12 条 记 录,以下是 1-10
王晓东
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:淀积 相变存储器 纳米尺寸 相变材料 微装配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
封松林
供职机构:中国科学院上海高等研究院
研究主题:相变存储器 相变材料 相变 电阻 存储器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王海龙
供职机构:曲阜师范大学
研究主题:分子束外延 OA D-S 交叉增益调制 量子点激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛智川
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 量子点 GAAS 超晶格 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱海军
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:INAS 超晶格材料 砷化铟 光电探测器 除气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李树深
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体 量子信息 量子点 掺杂 类氢杂质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苗振华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 分子束外延生长 INGAAS/GAAS 量子点 自组织量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 谐振器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李树英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GAAS 自组织生长 砷化镓 INGAAS/GAAS 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓元明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:自组织生长 砷化铟 量子点 微腔 INAS量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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