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赵福川

作品数：12 被引量：7H指数：2
供职机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心更多>>
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共 13 条 记 录，以下是 1-10
夏冠群
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MESFET 离子注入 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵建龙
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：微流控芯片 芯片 微管道 基因芯片 液滴
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁勇
供职机构：合肥工业大学应用物理系
研究主题：MESFET 旁栅效应 砷化镓 沟道电流 GAAS衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛友德
供职机构：合肥工业大学
研究主题：金刚石薄膜 金刚石 MESFET 砷化镓 旁栅效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谈惠祖
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：玻璃衬底 镍钴 能量密度 电池阳极 薄膜太阳能电池
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜立新
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：GAAS单晶 半绝缘砷化镓单晶 半绝缘 晶体生长 储氢
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
莫培根
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：GAAS单晶 半绝缘 单晶 砷化镓 衬底材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
詹琰
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：MESFET 砷化镓 GAAS 阈值电压 均匀性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱朝嵩
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：MESFET 砷化镓 阈值电压 均匀性 阈值电压均匀性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李传海
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：阈值电压 砷化镓 MESFET 自动测试系统 GAAS单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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