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胡浴红
作品数:
13
被引量:34
H指数:3
供职机构:
西安微电子技术研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
航空宇航科学技术
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合作作者
任迪远
中国科学院新疆理化技术研究所
赵元富
西安微电子技术研究所
余学锋
中国科学院新疆理化技术研究所
张国强
中国科学院新疆理化技术研究所
严荣良
中国科学院新疆物理研究所
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任迪远
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:电离辐射 剂量率 退火 剂量率效应 运算放大器
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所获资助
研究领域
余学锋
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:电离辐射 运算放大器 界面态 CMOS运算放大器 F
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赵元富
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:单粒子 电路 电离辐射 电离辐照 F
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王明刚
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:CMOS运算放大器 CMOS 运算放大器 辐照 电离辐射
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严荣良
供职机构:中国科学院新疆物理研究所
研究主题:电离辐射 MOS器件 运算放大器 界面态 退火
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张国强
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:电离辐射 F MOSFET 界面态 退火
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郭旗
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:辐照 剂量率 总剂量效应 总剂量 退火
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陆妩
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:剂量率 剂量率效应 电离辐射 退火 运算放大器
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赵文魁
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:CMOS运算放大器 辐照 CMOS 电离辐射 退火行为
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张正选
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
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