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胡浴红

作品数:13 被引量:34H指数:3
供职机构:西安微电子技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
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领域

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主题

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  • 7个氧化硅

机构

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资助

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传媒

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地区

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20 条 记 录,以下是 1-10
任迪远
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:电离辐射 剂量率 退火 剂量率效应 运算放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余学锋
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:电离辐射 运算放大器 界面态 CMOS运算放大器 F
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赵元富
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:单粒子 电路 电离辐射 电离辐照 F
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王明刚
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:CMOS运算放大器 CMOS 运算放大器 辐照 电离辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严荣良
供职机构:中国科学院新疆物理研究所
研究主题:电离辐射 MOS器件 运算放大器 界面态 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张国强
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:电离辐射 F MOSFET 界面态 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭旗
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:辐照 剂量率 总剂量效应 总剂量 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆妩
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:剂量率 剂量率效应 电离辐射 退火 运算放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵文魁
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:CMOS运算放大器 辐照 CMOS 电离辐射 退火行为
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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