李强
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院近代物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 用电子枪调试脉冲慢正电子束线
- 慢正电子脉冲束装置是目前国际上最先进的正电子淹没技术之一,它能用于薄膜材料的正电子寿命以及表层结构的研究,弥补了常规正电子湮没技术的不足。中国科学技术大学自
- 张丽娟张杰李强成斌刘建党翁惠民韩荣典叶邦角
- 关键词：MCP
- N离子注入ZnO薄膜中的缺陷磁性研究
- 我们在N离子注入的ZnO薄膜中观察到了室温铁磁性，通过退火效应研究分析了其微观结构与磁性表现间的关联，表明样品中的铁磁性与Zn空位相关的缺陷复合态有关。
- 徐菊萍李强刘建党叶邦角
- 关键词：氧化锌稀磁半导体正电子湮没
- 非铁电压电复合陶瓷SrTiO_3-Bi_(12)TiO_(20)(ST-BT)的正电子湮没谱学研究被引量：3
- 2012年
- 采用传统陶瓷烧结工艺成功制备出新型非铁电压电复合陶瓷SrTiO_3-Bi_(12)TiO_(20)(ST-BT),利用正电子湮没技术,对ST-BT复合陶瓷烧结过程进行了研究,讨论了烧结过程中材料内部的缺陷变化特征,给出了烧结温度对该复合陶瓷结晶度和缺陷结构的影响.发现烧结温度在860—940℃,烧结时间为3 h的实验条件下,ST-BT复合陶瓷已趋于稳定,出现了大量的单空位型缺陷.烧结温度超过980℃将引起Bi_(12)TiO_(20)相的大量分解,杂相的出现造成缺陷的聚集,形成大尺度的微空洞.实验结果表明,烧结温度在920—940℃的烧结条件下,ST-BT复合陶瓷的结构特性及压电性能均表现出较好的稳定性.
- 张丽娟王力海刘建党李强成斌张杰安然赵明磊叶邦角
- 关键词：正电子寿命谱
