张强
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
- 供职机构：苏州科技大学数理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金苏州市科技计划项目江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学化学工程更多>>
- 石墨烯硒化钼异质结的制备与光电特性研究被引量：3
- 2019年
- 研究了石墨烯/硒化钼薄膜异质结的制备及其光电特性。首先,在Si衬底上以硒化钼粉末为原料,采用化学气相沉积法(CVD)沉积硒化钼薄膜;然后,以甲烷为原料在硒化钼薄膜表面利用化学气相沉积法沉积石墨烯膜形成石墨烯/硒化钼异质结。利用原子力显微镜(AFM)观察表明,硒化钼薄膜由许多垂直于表面、直径大约2 nm、高度大约10 nm的纳米线构成,而石墨烯则为许多小片分散在衬底表面。X射线衍射分析表明,硒化钼薄膜在(004)晶面具有很强的取向生长的特性,这与AFM观察到硒化钼薄膜由许多相互平行的纳米线构成相一致。石墨烯/硒化钼异质结对可见光有良好的吸收特性,光照下具有显著的光电流产生,说明石墨烯/硒化钼异质结具有优异的光电特性,在光电器件领域可能有大的应用潜力。
- 徐铖彭涛管明艳张强马锡英
- 关键词：石墨烯化学气相沉积异质结光电特性
- 硒化钼柱状生长特性研究
- 采用热蒸发法制备硒化钼(MoSe2)薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析硒化钼薄膜的晶相、元素类别和微观形貌.测试结果表明：通过热蒸发法制备硒化钼薄膜，其平均生长高度约为200nm.制备了硒化钼样...
- 张强马锡英
- 关键词：热蒸发法反射率
- MoSe_2薄膜的制备与光电特性被引量：2
- 2017年
- 主要研究了硒化钼(MoSe2)薄膜的制备及其光电特性。以硒化钼粉末作为原料、采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上沉积硒化钼薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应仪和UV-3600分光光度计分别表征了硒化钼薄膜的表面形貌﹑晶体结构﹑光吸收特性和MoSe2/Si异质结的光电特性。分析可见所制备的硒化钼薄膜由柱状生长的硒化钼纳米颗粒构成,且这些纳米颗粒具有很强的垂直生长的取向。另外,还发现该硒化钼薄膜对可见光有很强的吸收和良好的光电特性,表明硒化钼薄膜在光电器件领域具有很大的应用潜力。
- 胡慧敏魏杰周洪宇苏静杰于成龙张强马锡英
- 关键词：表面形貌光吸收光电特性
- 稀土Er掺杂的MoSe2纳米线的制备及发光特性研究
- 2020年
- 本文研究了稀土掺杂硒化钼(MoSe2)垂直纳米线的制备及光学特性。以分析纯硒化钼粉末为原料,采用热蒸发方法在Si衬底上沉积硒化钼垂直纳米线,并在其生长过程中利用硝酸鉺进行原位掺杂。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪研究了掺杂硒化钼薄膜的表面形貌﹑晶体结构﹑光吸收和特性。发现掺杂后MoSe 2纳米线的结晶性更强,长度增加2倍以上。同时,掺杂后纳米线的可见光吸收和光致发光强度明显增强,760 nm处MoSe2纳米线的带间跃迁的本征发射增强4倍以上。另外,Er3+掺杂后,在590 nm和650 nm处增加了2个来自Er3+离子的发射,说明稀土掺杂后发光峰增加,使光谱谱线更加丰富。以上结果表明,稀土掺杂可显著增强硒化钼的结晶性、光吸收和发光效率,使其可用于制备超薄、高效率的太阳能电池、光探测器等光电子器件。
- 丁馨徐铖张强马锡英
- 关键词：热蒸发光吸收光致发光
- 银掺杂硒化钼(MoSe_2)薄膜的制备与光电特性研究
- 2017年
- 为提高MoSe_2的光电特性,以MoSe_2粉末为原料、采用化学气相沉积法(CVD)在Si衬底上沉积Ag掺杂的MoSe_2薄膜。测量并对比Ag掺杂前后MoSe_2薄膜的表面形貌﹑晶体结构﹑光吸收特性以及MoSe_2-Si异质结光电特性。结果表明:Ag掺杂并未改变MoSe_2薄膜的晶体结构且掺杂Ag后的MoSe_2的薄膜结晶度更好。掺杂后MoSe_2的薄膜的电子迁移率增大6倍,电导率有着显著提高,从而使MoSe_2的薄膜具有良好的伏安特性和光电响应。另外,还发现该Ag掺杂MoSe_2的薄膜对可见光有更强的吸收性。以上结果表明MoSe_2薄膜在光电器件领域和航天航空领域具有很大的应用潜力。
- 于成龙魏杰胡慧敏张强马锡英
- 关键词：银掺杂化学气相沉积光吸收光电特性
- 多层金属预制膜硫化法制备CuAlS_2薄膜被引量：3
- 2018年
- 先用磁控溅射沉积Cu/Al多层预制膜,再用硫化法制备黄铜矿型CuAlS_2多晶薄膜。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散X射线光谱和紫外-可见分光光度计研究了薄膜的物相成分、晶体结构、表面形貌、元素成分和光学性质。多层预制膜降低了CuAlS_2的成相温度,从单层[Cu/Al]1膜的750℃下降到[Cu/Al]8的650℃,有效抑制了Cu S杂相的形成。Rietveld分析得到CuAlS_2薄膜晶胞参数为a=0.537 10~0.533 27 nm和c=1.033 1~1.033 9 nm,阴离子x轴位置为xS≈1/4。能量色散X射线光谱分析显示Cu、Al和S分布均匀,未检测到其他杂质。CuAlS_2薄膜光学带隙为3.8 e V,能带计算表明硫离子位置的改变是禁带宽度增加的主要原因。
- 颜长赵蒙张强姚金雷
- 关键词：宽带隙硫化法黄铜矿
