王涛
- 作品数:8 被引量:23H指数:3
- 供职机构:西安科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:化学工程金属学及工艺矿业工程一般工业技术更多>>
- 劣质原料和工业废料制备高性能陶瓷制品的研究被引量:2
- 2014年
- 利用工业废料粉煤灰和劣质原料风化花岗岩为主要原料,低温烧结制备高性能瓷砖,分析了原料配方、烧结温度等工艺参数对瓷砖物理性能和力学性能的影响。结果表明:所制得的全瓷砖性能良好,抗折强度达到45 MPa,吸水率低于小于0.5%,能达到国家标准,节约成本。
- 王涛
- 关键词:风化花岗岩粉煤灰抗折强度吸水率
- 碳化硅颗粒级配优化的理论与实验研究被引量:3
- 2012年
- 运用堆积颗粒的颗粒级配优化模型,计算了碳化硅制品工业生产中使用原料常用的3种粒径的最优配比,同时通过3种粒径碳化硅颗粒的粉体堆积密度和压实密度的实验,获得了最优堆积密度和压实密度,对比验证了理论模型的计算结果。实验结果表明不同颗粒级配的堆积密度和压实密度的最优配比,与最优理论模型基本相符合。实验研究发现当粗中细3种颗粒粒度的最优化配比百分数为:63∶9.7∶26.8时,粉体自由堆积密度与压实密度达到最大。
- 李小池王涛朱海马
- 关键词:颗粒级配堆积密度
- 高体积分数SiC/Al电子封装材料的制备及性能研究被引量:2
- 2013年
- 用无压浸渗法制备了体积分数高达70%的碳化硅颗粒增强铝基复合材料,用SEM,XRD对试样进行了形貌和成分分析。测定了复合材料的热膨胀系数及热导率,并和理论模型进行了比较。结果表明:高体积分数SiC/Al复合材料的热膨胀系数为5.68×10-6/K,热导率为155 W/m.K,满足电子封装材料的要求。
- 王涛
- 关键词:AL复合材料无压浸渗法热导率
- 重结晶碳化硅制品等静压成型研究被引量:4
- 2014年
- 传统的重结晶碳化硅制品成型方式,以干压成型、注浆成型、可塑成型为主,研究了重结晶碳化硅制品的等静压成型工艺.等静压成型重结晶制品,是将重结晶碳化硅制品的原料:50~200 μm的碳化硅粒度砂和5~20 μm的碳化硅微粉按一定比例,加上粘结性较强的水溶性纤维素和聚乙烯醇,加入成型模具,利用等静压机成型出密度高、强度大的重结晶碳化硅制品素坯.通过实验、测试分析、结果讨论,研究了成型压力、保压时间以及粘结剂含量对碳化硅制品素坯密度、强度和素坯和成品的微观结构的影响.通过扫描电镜分析:等静压成型的重结晶碳化硅制品的素坯和烧成品,致密度高,坯体中很少有气孔.研究结果还表明:随着成型压力增大,密度也不断增大,最佳成型压力为200 MPa;保压时间的长短,对素坯密度、强度也有影响,最佳保压时间为160 s,实验选用粘结剂最佳含量为2%.与传统成型方法相比,冷等静压成型所得的素坯和成品强度大、密度高、坯体均匀.
- 李小池王涛
- 关键词:碳化硅制品素坯性能研究
- 化学镀Ni-P-B合金在液压立柱上的应用被引量:5
- 2008年
- 采用化学镀方法在液压立柱表面施镀Ni—P—B合金。研究了化学镀Ni—P—B合金镀层的晶态结构、表面形貌、显微硬度、膜基结合强度和耐蚀性。研究表明,化学镀Ni—P—B合金镀层表面较平整,分布均匀;Ni—P—B镀层的显微硬度为HV560~650,经热处理后显微硬度可达到HV1000~1300。还介绍了化学镀Ni—P—B合金工艺在液压立柱上的应用,通过比较,说明了化学镀Ni—P—B合金在性能等方面优于传统电镀合金和化学镀Ni—P合金,在煤矿机械上推广此项技术很有意义。
- 王志华王涛马超
- 关键词:液压立柱化学镀
- B_4C/Al-Mg复合材料的制备及性能研究被引量:1
- 2016年
- 用模压成型法制备了B_4C/Al-Mg复合材料。采用水静力天平、抗折强度测定仪、X射线衍射仪和SEM对其物理性能、力学性能和晶体结构和微观形貌进行了分析,研究了原料配方及烧结温度对B_4C/Al-Mg复合材料的晶型转变、微观形貌、体积密度、力学性能等的影响。结果表明,当Al、Mg的配比为37.0%和3.0%,烧结温度为1150℃时复合材料的综合性能最佳,体积密度为2.40 g/cm^3,抗折强度为303.67 MPa,硬度为79.4 HRC。
- 王涛
- 关键词:力学性能
- 材料工程热工设备课程教学的创新与改革被引量:1
- 2013年
- 摘要:材料工程生产过程主要靠各种各样的设备,其中热工设备是材料工程制备的主要设备,学生在专业课热工设备课程的学习是其未来走向工作岗位需要掌握的主要知识。通过总结传统模式教学效果的诸多影响因素,创新性的提出了教学改革措施,实践证明该措施可有效的提高课堂教学效果。
- 李小池王涛
- 关键词:无机材料热工设备教学方法
- SiC/Al复合材料的热导率研究被引量:5
- 2017年
- 用无压浸渗法制备了高导热的SiC/Al电子封装材料。采用光学显微镜、X射线衍射仪、扫描电镜和激光热导仪对复合材料导热率、晶体结构和微观形貌进行了分析,研究了SiC颗粒大小、形状、体积分数、基体中Mg的含量和预氧化等参数对SiC/Al复合材料的导热率的影响。结果表明,选择适当的原料参数和工艺参数可制得导热率高达172.27 W/(m·k)的SiC/Al复合材料,满足电子封装材料的要求。
- 王涛
- 关键词:SIC/AL复合材料无压浸渗导热率电子封装