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微电子器件封装的地和电源阻抗测试方法: 本标准规定了复杂、宽频带微电子器件用封装的地和电源引出端的串联阻抗测试方法。本标准适用于评估和比较不同封装之间性能的差异，并可用于预测封装对电源噪声和地噪声引入程度的影响。; 安琪林建京张崤君贾松良丁荣峥; 关键词：煤矿阻燃输送带阻燃输送带

陶瓷小外形外壳: 本新型公开了一种陶瓷小外形外壳，包括引线、陶瓷件、封口环，其中引线钎焊在陶瓷件的底面或台面上，封口环焊接于陶瓷件的顶面上。本新型在陶瓷件上钎焊引线、焊接封口环来制作器件封装外壳，并且在陶瓷器件内制作电气连接线路，引线节距...; 冀春峰张炳渠孙瑞花邹勇明程书博刘圣迁石鹏远张崤君郑宏宇蒋印峰付花亮高岭; 文献传递

陶瓷共烧四边引线扁平外壳制作工艺: 本发明公开了一种陶瓷共烧四边引线扁平外壳制作工艺，其方法步骤如下：瓷件外壳主体制作；平引线加工；通过焊料将平引线和瓷件焊接在一起；在平引线和瓷件上镀一层金；在平引线表面涂覆保护材料；将平引线四边的连接部分裁去；对引线进行...; 张崤君郭志伟; 文献传递

BGA焊球共面度测量装置: 本发明提供了一种BGA焊球共面度测量装置，包括固定单元和检测单元，固定单元包括调节组件和绕第一轴线转动连接于调节组件的固定组件，调节组件绕第二轴线转动连接于工作台，固定组件用于固定待测工件；检测单元包括位移组件和连接于位...; 林炜国彭博张崤君王明阳李彩然杨锦业

Si_(3)N_(4)覆铜基板的界面空洞控制技术被引量：3: 2021年; 为满足新一代SiC基功率模块的先进封装需求,研究了Si_(3)N_(4)覆铜活性金属焊接(AMB)基板的界面空洞控制技术,使Si_(3)N_(4)陶瓷与铜箔界面处的空洞率低于1%。选用Ag-Cu-Ti活性金属焊片作为Si_(3)N_(4)覆铜基板的焊料层,其中的活性组分Ti可与Si_(3)N_(4)生成界面反应层TiN,该材料是界面空洞控制的关键。在分析界面空洞形成机理的基础上,以空洞率为指标,对原材料前处理、AMB工艺参数(焊接压力和焊接温度)进行全因子试验设计(DOE)及方差分析,得到最佳的参数组合为:化学法与还原法相结合的原材料前处理方式,焊接压力约2 N,焊接温度900℃。通过原材料前处理和AMB工艺优化的界面空洞控制技术,研制出界面空洞率小于1%的Si_(3)N_(4)覆铜基板,能够满足SiC基功率模块封装基板的高可靠应用需求。; 张义政张崤君张金利吴亚光刘旭鲍禹希张腾; 关键词：AG-CU-TI 空洞率

数字微电子器件封装的串扰特性测试方法: 本标准规定了在数字微电子器件封装引出端之间，测试宽带数字信号和噪声交叉耦合水平的方法。本标准适用于数字微电子器件封装。当驱动和负载阻抗已知时，适用于多种逻辑系列产品。; 王琪张崤君贾松良丁荣峥; 关键词：煤矿阻燃输送带阻燃输送带

用于陶瓷外壳焊盘焊接性能检验的试验方法: 本发明提供了一种用于陶瓷外壳焊盘焊接性能检验的试验方法，属于陶瓷外壳检验分析领域，包括步骤：在预设于陶瓷外壳的焊盘的上表面均匀涂覆助焊剂，使助焊剂完全覆盖焊盘的上表面；将焊球放置于焊盘上表面的指定位置上，形成预制焊点结构...; 李含张崤君

微电子封装的数字信号传输特性测试方法: 本标准规定了高频数字微电子封装中传输线的特性阻抗、传输延迟时间、负载电容、负载电感、直流串联电阻的测试方法。本标准适用于高频数字微电子封装。; 王琪张崤君贾松良丁荣峥; 关键词：煤矿阻燃输送带阻燃输送带

一种数字电路的封装结构及封装方法: 本发明提供了一种数字电路的封装结构及封装方法，属于集成电路封装技术领域，包括设有上下贯通的通腔的基板，其正面设有金属热沉，金属热沉的底面位于通腔内部并用于连接键合芯片；基板的正面还设有键合芯片安装区域及第一无源元件安装区...; 彭博高岭张崤君刘洋段强毕大鹏路聪阁

高密度陶瓷倒装焊封装可靠性试验开路后的失效定位被引量：5: 2017年; 陶瓷材料具有优良的综合特性,被广泛应用于高可靠微电子封装。陶瓷倒装焊封装的特殊结构使得对其进行失效分析相较其他传统封装形式更为困难。针对一款在可靠性试验中发生开路的高密度陶瓷倒装焊封装器件,制定了一套从非破坏性到破坏性的试验方案对其进行分析。通过时域反射计(TDR)测试排除了基板内部失效的可能性,通过X射线(X-ray)检测、超声扫描显微镜(SAM)和光学显微分析初步断定失效位置,并最终通过扫描电子显微镜和X射线能谱仪实现了对该器件的准确的失效定位,确定失效位置为基板端镀Ni层。该失效分析方法对其他陶瓷倒装焊封装的失效检测及分析有一定的借鉴意义。; 李含郑宏宇张崤君; 关键词：倒装焊器件 X射线

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张崤君